應(yīng)用領(lǐng)域：
化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）**設(shè)備廣泛應(yīng)用于需要高純度、高性能薄膜材料的領(lǐng)域，主要包括：

半導(dǎo)體與微電子：
- 集成電路（IC）：沉積介電層（SiO₂、Si₃N₄）、金屬互連層（Cu、W）。
- 功率器件：SiC/GaN外延層生長(zhǎng)，提升器件耐高壓性能。
- 先進(jìn)封裝：TSV（硅通孔）鍍膜、晶圓級(jí)封裝。
光伏與新能源：
- 太陽(yáng)能電池：非晶硅（a-Si）、碲化鎘（CdTe）薄膜沉積。
- 鋰電材料：固態(tài)電解質(zhì)薄膜（如LiPON）、負(fù)極硅碳涂層。
光學(xué)與顯示：
- 光學(xué)鍍膜：AR（減反射）、IR（紅外）濾光片。
- 柔性顯示：OLED封裝層、透明導(dǎo)電膜（ITO）。
工具與涂層：
- 硬質(zhì)涂層：刀具/模具的TiN、DLC（類金剛石）鍍層。
- 耐腐蝕涂層：航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片的熱障涂層（YSZ）。
科研與前沿材料：
- 二維材料：石墨烯、MoS₂的可控生長(zhǎng)。
- 超導(dǎo)薄膜：YBCO高溫超導(dǎo)材料制備。

技術(shù)特點(diǎn)：
1. 沉積工藝多樣性
- 常壓CVD（APCVD）：低成本，適合氧化物薄膜。
- 低壓CVD（LPCVD）：高均勻性，用于半導(dǎo)體級(jí)薄膜。
- 等離子體增強(qiáng)CVD（PECVD）：低溫沉積（<400℃），適配柔性基底。
- 金屬有機(jī)CVD（MOCVD）：化合物半導(dǎo)體（GaAs、InP）外延生長(zhǎng)。
2. 精密控制系統(tǒng)
- 氣體輸送：質(zhì)量流量計(jì)（MFC）調(diào)控反應(yīng)氣體比例。
- 溫度控制：多區(qū)加熱（1200℃），溫控精度±1℃。
- 壓力調(diào)節(jié)：真空泵組（機(jī)械泵+分子泵）實(shí)現(xiàn)10&#8315;&#179;~10&#8315;&#8310; Torr。
3.薄膜性能優(yōu)勢(shì)
- 高純度：薄膜雜質(zhì)含量<1 ppm。
- 均勻性：厚度偏差≤±3%（8英寸晶圓）。
- 臺(tái)階覆蓋性：高深寬比結(jié)構(gòu)（>10:1）的保形沉積。
4. 自動(dòng)化與安全
- PLC/PC控制：預(yù)設(shè)工藝配方，實(shí)時(shí)監(jiān)控沉積速率。
- 安全聯(lián)鎖：氣體泄漏報(bào)警、過(guò)溫保護(hù)、應(yīng)急 purge。
5. 模塊化設(shè)計(jì)
- 腔體材質(zhì)：石英（耐腐蝕）、不銹鋼（高真空）。
- 基板加熱：射頻感應(yīng)/紅外輻射，支持旋轉(zhuǎn)托盤。
- 尾氣處理：集成Scrubber，處理有毒副產(chǎn)物（如HF、NH&#8323;）。